Розніца паміж версіямі "Трушынская Ганна Людвігаўна"
(рэабілітуе орган; загнаўшы орган) |
|||
| (Не паказанаадна прамежкавая версія таго ж удзельніка) | |||
| Радок 1: | Радок 1: | ||
{{Шаблон:Фармуляр | {{Шаблон:Фармуляр | ||
| − | | | + | |кім рэабілітаваны 1=Пракуратурай БССР |
|нацыянальнасць=полька | |нацыянальнасць=полька | ||
|крыніцы дадзеных=[http://www.svaboda.org/a/24812245.html Картатэка Сталіна (Радыё Свабода)] | |крыніцы дадзеных=[http://www.svaboda.org/a/24812245.html Картатэка Сталіна (Радыё Свабода)] | ||
| Радок 12: | Радок 12: | ||
[[Катэгорыя:Картатэка Сталіна (Радыё Свабода)]] | [[Катэгорыя:Картатэка Сталіна (Радыё Свабода)]] | ||
| − | |||
==Біяграфія== | ==Біяграфія== | ||
ТРУШЫНСКАЯ Ганна Людвігаўна, нар. у г. Менск, полька, зь мяшчан, пачатк. адук., хатняя гаспадыня. Жыла: Менск, вул. Беларуская 4. Арыштаваная 30.11.20. Асуджаная 31.01.11 за пасоб. польскаму агенту паводле арт. 68 КК БССР на 3 гады высылкі ў Сібір. 89.06.30 справа пераглядалася Пракуратурай БССР. КГБ РБ 26670-С | ТРУШЫНСКАЯ Ганна Людвігаўна, нар. у г. Менск, полька, зь мяшчан, пачатк. адук., хатняя гаспадыня. Жыла: Менск, вул. Беларуская 4. Арыштаваная 30.11.20. Асуджаная 31.01.11 за пасоб. польскаму агенту паводле арт. 68 КК БССР на 3 гады высылкі ў Сібір. 89.06.30 справа пераглядалася Пракуратурай БССР. КГБ РБ 26670-С | ||
Актуальная версія на 20:06, 28 красавіка 2017
- Дата нараджэння: —
- Месца нараджэння: г. Менск
- Нацыянальнасць: полька
- Адукацыя: пачатк. адук.
- Дата арышту: 20 лiстапад 1930 г.
- Дата асуджэння: 11 студзень 1931 г.
- Дата рэабілітацыі: 30 чэрвень 1989 г.
- Орган, які рэабілітаваў: Пракуратурай БССР
- Архіўная справа: КГБ РБ 26670-С
- Крыніцы дадзеных: Картатэка Сталіна (Радыё Свабода)
Біяграфія
ТРУШЫНСКАЯ Ганна Людвігаўна, нар. у г. Менск, полька, зь мяшчан, пачатк. адук., хатняя гаспадыня. Жыла: Менск, вул. Беларуская 4. Арыштаваная 30.11.20. Асуджаная 31.01.11 за пасоб. польскаму агенту паводле арт. 68 КК БССР на 3 гады высылкі ў Сібір. 89.06.30 справа пераглядалася Пракуратурай БССР. КГБ РБ 26670-С
